Вторая волна? Продолжаем работу!⠀⠀⠀⠀⠀⠀Бесконтактная доставкаРешения для удаленной работыКомплектация домашних рабочих мест ⠀⠀⠀⠀⠀⠀Отправить запрос
 
Наш телефон
E-mail
Москва
2-я Фрезерная, 3
  ПОСТАВКА ОРГТЕХНИКИ   АУТСОРСИНГ ПЕЧАТИ   ПРОЕКТЫ И КЕЙСЫ ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС
Поставка
  • Поставка оргтехники
  • Расходные материалы
  • Серверы и компьютеры
  • Сервис
    • Сервисное обслуживание
    • Покопийное обслуживание
    • Решения
      • Аудит офисной печати
      • Аренда оргтехники
      • Аутсорсинг офисной печати
      • Программное обеспечение
       
       
      Новости

      28.10.2020

      Запуск монохромного принтера А3 формата ECOSYS P4060dn
      Запуск монохромного принтера А3 формата ECOSYS P4060dn

      21.10.2020

      IDC: в 2019 году рынок облачных услуг России вырос на 26.9%
      IDC: в 2019 году рынок облачных услуг России вырос на 26.9%

      06.10.2020

      90% IT-систем российских госучреждений уязвимы к взлому
      Информационные системы в госорганизациях и органах власти России не устоят даже перед самыми простыми хакерскими приёмами

      04.09.2020

      Аналитики Gartner рассказали о тенденциях развития ИТ
      В 2020 году появились пять принципиально новых трендов, которые определят развитие информационных технологий

      29.08.2020

      Рынок ноутбуков на 50% охвачен Lenovo и HP
      Lenovo и HP — наши ключевые партнеры и основные мировые поставщики ноутбуков
      Все новостиRSS
ГлавнаяНовости и статьи2016-01-21 (Samsung запустила производство самой быстрой в мире DRAM)

Samsung запустила производство самой быстрой в мире DRAM

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов DRAM-памяти емкостью 4 ГБ с интерфейсом HBM

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства чипов DRAM-памяти емкостью 4 ГБ с интерфейсом HBM (High Bandwidth Memory, памяти высокой пропускной способности) второго поколения.

Как утверждает производитель, это самая быстрая в мире память DRAM. Такие чипы предназначены для высокопроизводительных графических карт следующего поколения, сетевых систем и корпоративных серверов.

Модули HBM2 DRAM на 4 ГБ изготавливаются по 20-нанометровому техпроцессу и содержат четыре 8-гигабитных чипа. Пропускная способность достигает 256 ГБ/с, что в два раза выше, чем у DRAM с интерфейсом HBM первого поколения. Также новые чипы в два раза превышают по показателю скорости на один ватт потребляемой энергии по сравнению с решениями на основе 4 Гбит GDDR5. Также предусмотрена функциональность ECC, кода исправления ошибок.

 

http://news.samsung.com/

21.01.2016

Партнёры
 
 
Количество:
Нажимая кнопку "Отправить" вы подтверждаете согласие с политикой конфиденциальности компании